可调式高压数字兆欧表操作步骤 三相可调电阻怎么测量?

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可调式高压数字兆欧表操作步骤

可调式高压数字兆欧表操作步骤 三相可调电阻怎么测量?

三相可调电阻怎么测量?

三相可调电阻怎么测量?

1.解开电机端子之间的连接件。

2.使用低电阻数字万用表测量电机三个绕组的电阻。正常情况下,三个绕组的电阻应该相等。如果有误差,误差不能大于5%。

3.如果电机绕组电阻大于1欧姆,可用单臂电桥测量,如果电机绕组电阻小于1欧姆,可用双臂电桥测量。如果电机绕组之间的电阻相差很大,说明存在短路、断路、焊接不良和绕组匝数错误。

4.绕组间的绝缘电阻和绕组与外壳间的绝缘电阻可用:①380V电机测量,量程为0-500兆欧或0-1000兆欧。其绝缘电阻不应低于0.5兆欧。(2)高压电机用0-2000兆欧表测量量程。其绝缘电阻不应低于10-20。

续流二极管的好坏判定?

检测常见的二极管(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管和续流二极管)是由具有单向导电性的PN结组成的半导体器件。用万用表检测正负电阻值,就可以识别二极管的电极,判断二极管是否损坏。

1.极性的判别将万用表放在R×100或R×1k,将两个探针分别接在二极管的两个电极上,测量一个结果后,将两个探针对调,再测量一个结果。在两次测量的结果中,一次测得的电阻值较大(反向电阻),另一次测得的电阻值较小(正向电阻)。

在小电阻测量中,黑色触针连接到二极管的阳极,红色触针连接到二极管的阴极。2.单负电导率的检测和好坏的判断一般来说,锗材料

二极管正向电阻约1kω,反向电阻约300。硅二极管的电阻值约为5kω,反向电阻值为∞(无穷大)。

正向阻力越小,反向阻力越好。正向和反向电阻值之间的差异越大,二极管的单向导电性越好。如果测得的二极管正向和反向电阻值接近0或者电阻值很小,说明二极管已经被击穿短路或者漏电损坏。如果测得的二极管正向和反向电阻值为无穷大,说明二极管已经被开路损坏。

3.反向击穿电压的检测二极管的反向击穿电压(耐受电压)可以通过晶体管DC参数测试表来测量。方法如下:测量二极管时,设置 NPN/PNP 选择键的测试米到NPN状态,然后连接二极管的正极到 c 测试仪表的插孔,将负极插入 e 测试仪表的插孔,然后按 v(BR ) 键,测试仪可以指示二极管的反向击穿电压值。

。齐纳二极管1的检测。正负极的辨别从外观上看,金属封装的齐纳二极管管的正极端是扁平的,负极端是半圆形的。用塑料包装印有彩色标记的齐纳二极管体的一端为负极,另一端为正极。

对于符号不清楚的齐纳二极管,也可以用万用表确定其极性。测量方法和普通二极管一样,就是用一个R×1k档的万用表,将两个探针分别接在齐纳二极管的两个电极上,测量一个结果后再测量两个探针。在两次测量结果中,黑色触针连接到齐纳二极管的正极,红色触针连接到齐纳二极管的负极。

如果齐纳二极管的正向和反向电阻都很小或无穷大,这意味着二极管已经被开路击穿或损坏。2.稳压电压由0~30V连续可调的DC电源测量。对于13V以下的稳压二极管,稳压电源的输出电压可以调整到15V,电源正极串联一个1。

5kω限流电阻与被测齐纳二极管负极相连,电源负极与齐纳二极管正极相连。然后用万用表测量齐纳二极管两端的电压值,测得的读数就是齐纳二极管的调节值。如果齐纳二极管的稳压值高于15V,稳压电源应调整到20V以上。

双向触发二极管1的检测。正反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k测量双向触发二极管的正反向电阻值。正常情况下,正负电阻值应该是无穷大。如果测得的正向和反向电阻值都很小或为0,说明二极管已经被击穿。

2.有三种方法可以测量双向触发二极管的转折电压。第一种方法是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接在双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的DC电压量程测量电压值,然后切换双向触发二极管的两极再测量一次。

比较两次测量电压值的偏差(一般为3~6V)。偏差越小,二极管的性能越好。第二种方法是:首先用万用表测量市电电压U,然后将双向触发二极管串联到万用表的交流电压测量电路中,再接市电电压并读取电压值U1,再将双向触发二极管的两极反接,读取电压值U2。

如果U1和U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明双向触发二极管的导通性能是对称的。如果U1和U2之间的电压差很大,则表明双向触发二极管的导通是不对称的。如果U1和U2的电压值与市电U相同,说明双向触发二极管短路损坏。

如果U1和U2的电压值为0V,说明双向触发二极管内部被开路损坏。第三种方法是用一个0~50V连续可调的DC电源,电源正极串联一个20kΩ的电阻后接双向触发二极管的一端,电源负极接万用表电流档(放在1mA档)后接双向触发二极管的另一端。

逐渐增加电源电压当电流表指针摆动明显时(几十微安以上),说明双向触发二极管已经导通,电源的电压值就是双向触发二极管的转折电压。发光二极管的检测1。正负极的辨别把发光二极管放在光源下,观察两块金属片的大小。通常,金属片的大端是负极,金属片的小端是正极。

2.判断性能好不好。用R×10k的万用表测量发光二极管的正反向电阻值。正常情况下正向电阻(黑色手写笔接正极时)约为10 ~ 20kΩ,反向电阻为250kω~∞(无穷大)。测量正向电阻时,灵敏度高的发光二极管会在管内发光。

如果用万用表R×1k测量LED的正反向电阻值,会发现正反向电阻值接近∞(无穷大),因为LED的正向压降大于1。6V(高于万用表R×1k范围内电池的电压值。5V),用万用表的R×10k档给一个220μF/25V的电解电容充电(黑色唱针接电容阳极,红色唱针接电容阴极),然后将充电后的电容阳极接LED阳极,电容阴极接LED阴极。如果LED闪亮,表示LED状态良好。

红外发光二极管的检测1。正负极性的辨别红外发光二极管多采用透明树脂封装,管芯下部有一个浅圆盘。管中的宽电极是负电极,而窄电极是正电极。也可以通过管体的形状和插针的长度来判断。

通常靠近管体侧面的电极为负极,另一端的插针为正极。长针是正极,短针是负极。2.性能好坏的衡量红外发光管有正负电阻用万用表R×10k。正常情况下,正向电阻值约为15 ~ 40kΩ(数值越小越好);反向电阻大于500 kω(用R×10k测量,反向电阻大于200kω)。

如果测得的正向和反向电阻值接近于零,说明红外发光二极管内部已经被击穿。如果测得的正向和反向电阻值为无穷大,说明二极管已经被开路损坏。如果测得的反向电阻值远小于500 kω,说明二极管已经漏电损坏。红外光电二极管的检测将万用表放在R×1k范围,测量红外光电二极管的正向和反向电阻值。

正常情况下正向电阻值(连接黑色手写笔的引脚为正)约为3 ~ 10 kω,反向电阻值在500kω以上。如果正向和反向电阻值都为0或无穷大,则意味着光电二极管已经被开路击穿或损坏。激光二极管的检测及电阻测量方法拆下激光二极管,用R×1k或R×10k的万用表测量其正反向电阻值。

正常情况下,正向电阻值在20 ~ 20 ~ 40kω之间,反向电阻值为∞(无穷大)。如果测量到正向电阻该值已经超过50kΩ,这表明激光二极管的性能已经下降。如果测得的正向电阻值大于90kΩ,说明二极管已经严重老化,不能再使用。

变容二极管1的检测。正负极的辨别有些变容二极管一端有黑色标记,是负极,另一端是正极。外壳两端还有带黄环和红环的变容二极管,红环的一端为正极,黄环的另一端为负极。

也可以通过测量数字万用表二极管的正负压降来判断变容二极管的正负极性。正常的变容二极管,测量其直流压降时,仪表读数为0。58~0。65V当测量其反向压降时,仪表的读数显示为溢出符号 1 。

测量直流压降时,红色触针连接到变容二极管的阳极,黑色触针连接到变容二极管的阴极。2.判断性能好坏用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正反向电阻值。正常变容二极管的正向和反向电阻值为∞(无穷大)。

如果被测变容二极管的正向和反向电阻值都为某一阻值或都为0,则为二极管漏电或击穿损坏。双基二极管1的检测。电极的辨别将万用表放在R×1k档,用两个探针测量双基二极管三个电极中任意两个之间的正反电阻值,会发现两个电极之间的正反电阻值都是2 ~ 10kΩ,分别是基极B1和B2,另一个电极是发射极E..

然后将黑色的触控笔连接到发射器E上,用红色的触控笔依次接触另外两个电极,一般会测到两个不同的电阻值。在小电阻测量中,红色触针连接到基座B2,另一个电极是基座B1。2.性能的判断双基二极管的性能可以通过测量其极间电阻是否正常来判断。

用万用表在R×1k范围内,依次将黑色表笔接到发射器E上,红色表笔接到两个底座(B1和B2)上。正常情况下,电阻应该是几千欧姆到一万欧姆。然后将红色手写笔连接到发射器E,黑色手写笔依次连接到两个底座。正常情况下,电阻是无穷大。

双基二极管的两个基极(B1和B2)之间的正向和反向电阻值都在2 ~ 10kΩ范围内。如果测得的两极之一的电阻值与上述正常值相差很大,则说明二极管损坏。1号桥桩检测。全桥检测大多数整流器全桥标有 , - 和 ~ 符号(其中 是整流输出电压的正极- 是输出电压的负极~ 是交流电压的输入端),所以很容易识别每个电极。

测试Rac电子数据网络时,可以判断 之间的每个整流二极管的正向和反向电阻值 杆和两个 ~ 两极之间 - 杆和两个 ~ 极点(与普通二极管测量方法相同)正常与否。全桥是否损坏。

如果全桥中鞭状二极管的正向和反向电阻值都为0或无穷大,则可以判断二极管已经被击穿或开路损坏。2.半桥的检测半桥由两个整流二极管组成。用万用表测量半桥中两个二极管的正负电阻值,就可以判断半桥是否正常。

高压硅堆的检测高压硅堆内部由几个高压整流二极管(硅颗粒)串联而成。检测时,可以用R×10k量程的万用表测量正反向电阻值。正常高压硅堆,其正向电阻大于