饱和管压降是最小值还是最大值
三极管的饱和管压降是发射极减集电极吗？
三极管的饱和管压降是发射极减集电极吗？
三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降，一般在1V左右。
因为ce极电压在0.3或者0.3v以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。所以叫饱和电压。
为什么三极管ce导通电压为0.3？
因为3V，这和实际情况基本一致。在实际电路中，虽然三极管参数存在有一定的离散性，基本不会大于这个值，有时还会小一点。
深度饱和时,发射结正偏,集电结也正偏,但此时Uce并不为0,一般最小在0.3V左右,即饱和管压降。至于为什么硅管是0.3V,锗管是0.1V
饱和压降有何作用？
饱和压降指的是三极管饱和时，其集电极和发射极之间的电压。当三极管饱和后，基极电流的增加不会引起集电极电流的变化，此时三极管饱和，其饱和压降在0.4-0.2V（管子不同这个数字也不同）。
在三极管放大电路中存在电流放大倍数和电压放大倍数。其中电流放大倍数是三极管固有的（制造时以确定），而电压放大倍数是由电路的结构形式来确定，例如共集电极电路就没有电压放大倍数，而共发射极电路就有电压放大倍数。
当三极管作为开关管使用时，它的工作过程就是两个状态，饱和导通和截止。开关时间指的是导通到截止 或者截止到导通这个时间，例如当基极加入一个可以使三极管饱和导通的电压，此时三极管不能马上就进入饱和状态，需要一定时间（虽然很短），那这个时间就是开关时间。
功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点？
功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：
1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。