半导体材料的pn结是如何形成的
如何判断异质结结构的形成？
如何判断异质结结构的形成？
异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结(P-p结或N-n结)和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
pn结为什么是少子器件？
pn结半导体材料构成，这个特征性说明它没有导体那样易通过电子，所以是少子器件。
pn结分别由哪几种材料组成?
硅二极管PN结的主要材料是用硅材料做成的.锗二极管PN结的主要材料是用锗材料做成的.组成二极管的封装材料：引线是铜，焊接芯片是点焊的，焊接后芯片外涂白胶，外壳黑塑胶封装。
p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn结不加电压下呈电中性。
谁发现了PN结？
英国的巴拉迪，在发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低后对半导体产生了深厚的兴趣，踏上了“半导体研究之路”……之后提出了PN结，结电容等著名的理论。
堪称为我们电子界的亚里士多德
pn结热平衡状态的形成过程？
在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。
1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动
在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴而电子很少，这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子要从N型区向P型区扩散， 也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区
电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。